Technology
研究開発
Technological Development
技術開発の取り組み
Gaianixx独自の “M4” が成せる
オンリーワン技術
当社のコアテクノロジー「マルテンサイト*1・エピタキシー」は、Material（材料）、Machine（装置）、Method（製法）、Members（人材）の “M4” 融合によって可能となります。
全ての「M」においてGaianixx独自のノウハウ・技術・人材を保有し、従来より困難とされてきた多層での高品質単結晶化を「多能性®中間膜」と「動的格子マッチング」で 可能とし、分野を問わず半導体の飛躍的な革新に貢献致します。
また、東京大学発 研究開発型ベンチャーとして人類の為に最大たる貢献を果たすべく、飽くなき探求心で継続した技術革命を実現して参ります。
*1 マルテンサイト：主に鉄鋼を焼き入れした際に生じる準安定相のこと。原子の位置は変化せずに、結晶が将棋倒しのように剪断変形することによって生じる。
Market Potential
市場規模
果て無きマーケットポテンシャル
自動車・建設・農業・医療・教育・公共等、全産業においてDX・デジタライゼーションが進んでおり、そのマーケットポテンシャルは計り知れない程の規模となる。
Gaianixxの「多能性®中間膜」は材料によって最適化をする事が可能である事からあらゆる市場での技術革新が見込める。
Examples
共同開発事例
東京大学との共同研究で文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ事業（ARIM）の令和4年度秀でた利用成果「最優秀賞」に選定されました。
受賞した利用成果は、宝石として知られているガーネット材料にナノスケールの傾斜格子歪み（静的局所結晶制御）を導入し、不揮発性の電気分極と磁気分極を共存させることに成功したもので、記憶保持電源が不要で電子機器消費電力の大幅低減が実現し、さらに動的格子マッチングの新規結晶成長技術により、鉛フリー圧電体をはじめとする機能性材料の単結晶薄膜化に成功した。
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/hubfs/press-release/2023/0117/text.pdf
医工学応用に向けた単結晶圧電体基板の高品質化を可能にする成長技術の開発という共同研究を推進中である。これまでに、PT（PbTiO3）/ HfO2を用いたガスセンサ応用を目的に、業界トップレベルの成果を得ており、この結果は第38回強誘電体会議（FMA38）及びJapanese Journal of Applied Physics※にて報告し、大きな反響を得た。
※Hansol Park, Takeshi Kijima and Hitoshi Tabata, ” Epitaxial growth technique for single-crystalline PbTiO3 thin film on Si substrate using an HfO2 buffer layer”, Jpn. J. Appl. Phys. 60 SFFB14:
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac223e
Patent
特許戦略
東京大学発のベンチャー企業であり、世界を一変させる日本発の画期的多能性®中間膜は、大手企業向けのビジネス展開となることから、事業プランと連携した綿密な知財戦略を構築しています。知財戦略の設計から出願・登録に至るまでの全ての業務を内製化して、基本特許を含め積極的に権利化しており、現在、特許出願50件以上を進め、株式公開前に国内外の特許出願数を300件以上、特許登録件数を100件以上にする予定です。
また、パテントマップを作成して事業戦略の検討に利用しています。俯瞰図を作成し、他のベンチャー企業や海外企業の動向を注視しつつ対応しています。また、海外市場も視野に入れており、欧州、米国、中国、韓国、台湾等への海外出願も積極的に進めています。
