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製品情報
Product Examples
Gaianixxがつくる製品例
走査透過電子顕微鏡(STEM)
光より波長の短い電子線を用いることで、光学顕微鏡では観察できない微細な構造を観察。
薄い試料を透過させた電子線を検出することで内部構造を観察する。
均一な高品質単結晶格子像を実現。
6inch/4inch
高品質単結晶膜を実現
PZT/SiC/GaN等多種多様な高品質単結晶薄膜を提供可能。同プラットフォームをラボレベルから量産レベルに進化させた独自の “M4” 技術で～12inchを視野に大口径化を確立していく。
GaianixxのPZT薄膜は、誘電率が100〜450(相境界)程度且つ成膜終了時には分極も終了しており自発圧電性™を保持。また耐熱性が高く、450℃(リフロー温度)でも脱分極しないことが大きな特徴である。
Core Technology
コアテクノロジー
積層構造にて
高品質単結晶を可能にする
「多能性®中間膜」。
基板上に成膜する1層目材料との間に「多能性®中間膜」を成膜する事で1層目との格子定数を合わせ単結晶を形成する。最大の特徴は1層目だけに留まらず、その上に成長させた複数の別材料層との応力も感じ再度任意に変形する「動的格子マッチング」によって、多層で高品質単結晶を形成できる。
なぜなら、Gaianixxの多能性®中間膜は、格子ミスマッチを駆動力に双晶型マルテンサイト変態による動的格子マッチングを生じることにより、最上部の機能膜を単結晶化させるからである。
また、基板上の欠陥を引きずる事なく高品質単結晶を成長させる事も可能となり、歩留やコスト改善にも大きく寄与出来る事が期待出来る。
Predominance
Gaianixxの優位性
Point1
高品質化
Point2
高性能化
Point3
軽薄短小化
メカニズム
動的格子マッチング
結晶性
単結晶超薄膜
特徴
ポーリングレス分極
Assessment Results
Gaianixxでの “PZT” 評価結果
耐熱性（Tc）
600℃
耐電圧（/μm）
200V
圧電定数（d31：pm/v）
250
ヒステリシス特性・曲線
多能性®中間膜
単結晶圧電膜での
驚異的な特性向上を確認
他社圧電特性比較
2x
変位量
2x
耐熱性
7x
耐電圧
Equipment and Quality Control
設備・品質管理
独自の二周波誘導結合プラズマ型
物理気相成長装置による
セラミクス形成技術
我々は、二周波誘導結合型高周波プラズマ型セラミクス形成（ICPVD）の為の絶対理論確立を目指し、東京大学との共同研究にて基礎から取り組むと同時に、8インチウェハ量産化技術確立へ向けた基礎理論のAI化に取り組んでいる。
多能性®中間膜形成時の
ICPプラズマ現象
我々は、二周波ICPプラズマ現象が、そのセラミクス薄膜を用いたデバイス特性に与える影響を、セラミクス薄膜作成時の設定値として、具体的に落とし込むことに最も注力している。
Environmental Initiatives and Policies
環境への取り組み・方針
- 単結晶半導体膜が創出する社会価値
- MEMS, パワーデバイス, LED製品を始めとする半導体の高付加価値化、小型化、低価格化実現に必要不可欠な単結晶膜を、世界で唯一の多能性®中間膜を駆使して開発・製造し、パートナーの皆さまと共に社会に中長期に創りだしていく価値。
- 価値創出の基盤
- 構築した”M4″ (Material, Machine, Method, Member) 技術を重要な基盤とし、各種化合物半導体単結晶膜の製造技術プラットフォームを確立すると共にラボレベルから量産規模へのステップアップする。
