東京大学大学院 工学部系研究科物理工学専修 修了後、株式会社東芝に入社し光通信用 GaInAsP/InP 系半導体レーザ MOCVD 成長技術の研究・開発をリード。その他の開発では、「SiC エピタキシャル成長研究」、「GaAsN/InAs 量子ドットレーザ研究」や「白色 LED 用 GaN 系近紫外LED 開発」等、革新分野での技術開発を歴任した。2024年に技術エキスパートとしてGaianixxに参画